삼성·IBM 차세대 반도체 공동개발

삼성·IBM 차세대 반도체 공동개발

입력 2011-01-14 00:00
수정 2011-01-14 00:22
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모바일 기기용 등 20나노 이하 공정기술 협력

삼성전자가 미국 IBM사와 공동으로 20나노 이하의 차세대 로직 공정을 개발하기로 했다고 13일 밝혔다.

그동안 양사는 전략적 제휴를 맺고 2005년부터 65나노·45나노·32나노 로직 공정기술을 개발한 바 있다. 20나노 이하 공정은 스마트폰, 태블릿PC 등 모바일 기기와 고성능 클라우드 컴퓨팅 분야에 널리 사용될 차세대 반도체 공정기술이다.

20나노 이하급 공정개발은 IBM의 뉴욕연구소와 삼성전자 반도체연구소에서 공동으로 추진한다. 이를 위해 삼성전자는 뉴욕 알바니 나노테크센터에 있는 반도체연구동맹(SRA)에도 참여하기로 했다. SRA에서는 20나노 미만 공정개발을 위한 기초 단계로 신물질 개발과 트랜지스터 구조 개발 같은 선행 연구·개발 사업을 진행한다.

정은승 삼성전자 반도체사업부 시스템LSI 기술개발팀 전무는 “선행 연구·개발을 통해 양사의 차세대 공정능력을 강화하고 지속적인 기술 리더십을 유지할 것”이라고 말했다.

IBM 반도체 부문 마이클 캐디건 대표는 “선행 연구·개발 단계부터 삼성과 협력하게 돼 매우 기쁘다.”고 말했다.

한편 삼성전자와 IBM 및 글로벌 파운드리(수탁 생산) 업체들이 참여하는 ‘커먼 플랫폼’(혁신적 반도체 설계 및 제조환경 기술협력 모델)은 오는 18일 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 커먼 플랫폼 테크 포럼을 열고 차세대 반도체 기술 및 솔루션에 대해 논의할 예정이다.



류지영기자 superryu@seoul.co.kr
2011-01-14 17면
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